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参数目录32831
> BCR 148S E6433 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363
型号:
BCR 148S E6433
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
BCR 148S E6433 PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 01/Mar/2011
标准包装
10,000
系列
-
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
70 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
100MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
PG-SOT363-6
包装
带卷 (TR)
其它名称
BCR148SE6433XT
SP000012339
查看BCR 148S E6433代理商
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